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IGBT吸收電容
產(chǎn)品特點：雙面金屬化薄膜、無感結(jié)構(gòu)、低等效串聯(lián)電感、可承受較高的du/dt 能承受高脈沖電，ESR小，具有自愈性等。
廣泛用于：變頻器、SVG、混合動力車、逆變焊機、太陽能/風力發(fā)電變流器等行業(yè)的“across-the-bus”功率線路設計，適用所有IGBT模塊區(qū)域尖峰電壓的吸收保護
咨詢價格產(chǎn)品參數(shù)產(chǎn)品試用
額定電壓 700V.DC~3000V.DC
額定容量 0.0047μF~10μF
溫度范圍 -40°C~85°C
容量偏差 ±5%, ±10%
極間耐電壓 2Ur(DC) 10s 25±5℃
極殼耐電壓 3000V 50Hz 60S, 25±5℃
損耗角正切 Cr≤1.0μF tgδ≤5×10-4，Cr＞1.0μF tgδ≤6×10-4
絕緣電阻 C*IR≥30000S, at 100VDC,25±5℃,60S
預期壽命 100000h at Ur and 70℃
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IGBT吸收電容
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- 聯(lián)系人姓名：劉春艷
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