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基本參數
波長范圍：166～847nm
分辨率＜0.008nm，在200nm處
短時間穩定性：RSD%≤0.5%
長時間穩定性：RSD%≤2%
部分元素檢出限：As,189.0nm,6ppb;Ca,317.9nm,5ppb;Mg,285.2nm,2ppb;Cd,226.5nm,0.5ppb;Pb,220.
全譜直讀型臺式ICP光譜儀參考技術指標
一、儀器類型：全譜直讀型臺式ICP光譜儀，需配外置冷卻水循環系統
二、光學系統：全新豎式光室設計，全封閉驅氣型，采用精密溫控恒溫系統，高能量中階梯光柵石英棱鏡交叉色散內光路，波長和級次二維色散，所有光學元件均使用全反射球面鏡，高光通量和低圖像失真。
光柵：采用超高分辨干涉刻制技術，52.91條/mm，63.5度閃耀角
棱鏡：交叉色散，采用雙通過設計確保成像質量，9.5度角，超紫外熔融石英
波長覆蓋：166~847 nm全波長覆蓋，Al 167.120 nm測試可獲得更高紫外靈敏度，對于K 766.490 nm和Na 818.326 nm長波同樣性能優異
焦距：383 nm，緊湊型光室
分辨率：0.007 nm在200 nm處的光學分辨率，采用大衍射角高的光譜級次，在短焦距下可獲得高分辨率
光路：驅氣型光室，可以是氬氣或者是氮氣，驅氣量0~2升/分鐘，典型1升/分鐘即可獲得優異的紫外性能，特別對于As和P的測定。外光路設計，對于垂直炬可選擇觀測高度，對于雙向炬可選擇觀測方式。
波長校準：采用C、N和Ar線自動波長校準程序，確保長期波長穩定性
光室恒溫：38 /- 0.1℃精密光室恒溫，恒溫速度小于20分鐘。
三、檢測器：新一代電荷注入式檢測器（CID）是高性能的固體成像系統。Thermo的CID是能夠傳輸高反差/低噪音圖像的加強型傳輸器件，它可以對分析范圍內的所有波長進行定性定量，而消除了電荷溢出（Blooming）現象。
檢測器模式：隨機讀取積分（RAI）經選擇的分析波長以信噪比的方式同時積分，這樣光所產生的電荷量可以保持在CID的線性范圍內。它是利用了CID所的非破環性讀取（NDRO）功能而獲得的。NDRO允許觀測任意曝光點的任何像素單元上的信號。在這種方式下，
像數與像數之間的讀出頻率隨著發射強度的實時觀測而各不相同，因而得到寬廣的動態線性范圍。
陣列尺寸：291,600個獨立尋址單元，540
