NY8A051H是以EPROM作為記憶體的 8 位微控制器，專為多IO產(chǎn)品的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。在I/O的資源方面，NY8A051H有 6 根彈性的雙向I/O腳，每個(gè)I/O腳都有單獨(dú)的寄存器控制為輸入或輸出腳。而且每一 個(gè)I/O腳位都有附加的程式控制功能如上拉或下拉電阻或開漏極(Open-Drain) 輸出。此外針對(duì)紅外線搖控的產(chǎn)品方 面，NY8A051H內(nèi)建了可選擇頻率的紅外載波發(fā)射口。 NY8A051H有兩組計(jì)時(shí)器，可用系統(tǒng)頻率當(dāng)作一般的計(jì)時(shí)的應(yīng)用或者從外部訊號(hào)觸發(fā)來計(jì)數(shù)。另外NY8A051H提供 1 組 8 位解析度的PWM輸出或者蜂鳴器輸出，可用來驅(qū)動(dòng)馬達(dá)、LED、或蜂鳴器等等。 NY8A051H采用雙時(shí)鐘機(jī)制，高速振蕩或者低速振蕩都由內(nèi)部RC振蕩輸入。在雙時(shí)鐘機(jī)制下，NY8A051H可選擇多 種工作模式如正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待機(jī)模式(Standby mode) 與睡眠模式(Halt mode)可節(jié)省 電力消耗延長(zhǎng)電池壽命。

功能：

 寬廣的工作電壓：  2.0V ~ 5.5V @系統(tǒng)頻率≦8MHz。

            2.2V ~ 5.5V @系統(tǒng)頻率＞8MHz。

 寬廣的工作溫度：-25°C ~ 85°C。 

 高達(dá) ±5KV 的ESD。

 內(nèi)建 16 階準(zhǔn)確的低電壓偵測(cè)電路功能。

1Kx14 bits EPROM。 

48 bytes SRAM。 

6 根可分別單獨(dú)控制輸入輸出方向的I/O腳(GPIO)、PB[5:0]。  PB[3:0]可選擇輸入時(shí)使用內(nèi)建下拉電阻。 

 輸入有三種組態(tài)可選(TTL/CMOS/Without Schmitt)。 

 PB[3]內(nèi)建上拉電阻及輸出高推功能。 

PB[5:0]可選擇上拉電阻或開漏極輸出(Open-Drain)。

所有I/O腳輸出可選擇小灌電流(Small Sink Current)或一般灌電流(Normal Sink Current)。 

 所有I/O腳輸出可選擇小推電流(Small Drive Current)或一般推電流(Normal Drive Current)，除PB3 外。 

 8 層程序堆棧(Stack)

存取數(shù)據(jù)有直接或間接尋址模式。 

 一組 8 位上數(shù)定時(shí)器(Timer0)包含可程序化的頻率預(yù)除線路。  一組 8 位下數(shù)定時(shí)器(Timer1)可選重復(fù)載入或連續(xù)下數(shù)計(jì)時(shí)。  一個(gè) 8 位的脈沖寬度調(diào)變輸出(PWM1)。

一個(gè)蜂鳴器輸出(BZ1)。 

 38/57KHz紅外線載波頻率可供選擇，同時(shí)載波的極性也可以根據(jù)數(shù)據(jù)作選擇。 

內(nèi)建上電復(fù)位電路(POR)。 

內(nèi)建低壓復(fù)位功能(LVR)。

內(nèi)建看門狗計(jì)時(shí)(WDT)，可由程序固件控制開關(guān)。

雙時(shí)鐘機(jī)制，系統(tǒng)可以隨時(shí)切換高速振蕩或者低速振蕩。 

高速振蕩：I_HRC (內(nèi)部 1~20MHz高速RC振蕩)

低速振蕩：I_LRC (內(nèi)部 32KHz低速RC振蕩) 

四種工作模式可隨系統(tǒng)需求調(diào)整電流消耗：正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待機(jī)模式(Standby mode) 與 睡眠模式(Halt mode)。 

六種硬件中斷：Timer0 溢位中斷。  Timer1 借位中斷。

WDT 中斷。 

PB 輸入狀態(tài)改變中斷。 

外部中斷輸入。 

低電壓偵測(cè)中斷。 

NY8A051H在待機(jī)模式(Standby mode)下的六種喚醒中斷：

 Timer0 溢位中斷。  Timer1 借位中斷。  WDT 中斷。  PB 輸入狀態(tài)改變中斷。外部中斷輸入。