SFS10/SFS20 :光纖激光劃片機(jī) 產(chǎn)品特點(diǎn)：具備氪燈泵浦YAG激光劃片機(jī)所有性能優(yōu)點(diǎn)，此外光束質(zhì)量更好（標(biāo)準(zhǔn)基模）、切縫更細(xì)（30μm）、邊緣更平整光滑；轉(zhuǎn)換效率更高、運(yùn)行成本更低；真正免維護(hù)、不間斷連續(xù)運(yùn)行、無(wú)消耗性易損件更換；設(shè)備體積更小（風(fēng)冷）　 技術(shù)參數(shù)：　 型號(hào)規(guī)格：SFS10/SFS20　 激光功率：10W（SFS10） 20W（SFS20）　 較大劃片速度：160mm/s（SFS10） 200mm/s（SFS20）　 激光重復(fù)頻率：20KHz~100KHz　 劃片線寬：≤30μm　 激光波長(zhǎng)：1.064μm　 劃片精度：±10μm　 工作臺(tái)幅面：350mm×350mm　 工作電源：220V/50Hz/1KVA　 工作臺(tái)：雙氣倉(cāng)負(fù)壓吸附，T型臺(tái)雙工作位交替工作　 冷卻方式：強(qiáng)迫風(fēng)冷　 應(yīng)用和市場(chǎng)：太陽(yáng)能行業(yè)單晶硅、多晶硅、非晶硅帶太陽(yáng)能電池片和硅片的劃片（切割、切片）。 SCT-A / SCT-B：太陽(yáng)能電池分選機(jī) 產(chǎn)品特點(diǎn)：　 該設(shè)備專(zhuān)門(mén)用于太陽(yáng)能單晶硅和多晶硅單體電池片的分選篩選　 通過(guò)模擬太陽(yáng)光譜光源，對(duì)電池片的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量，根據(jù)測(cè)量結(jié)果將電池片進(jìn)行分類(lèi)　 自動(dòng)校正設(shè)置，輸入補(bǔ)償參數(shù)，進(jìn)行自動(dòng)/手動(dòng)溫度補(bǔ)償和光強(qiáng)度補(bǔ)償，具備自動(dòng)測(cè)溫與溫度修正功能　 基于Windows的操作界面，測(cè)試軟件人性化設(shè)計(jì)，記錄并顯示測(cè)試曲線（I-V曲線、P曲線）和測(cè)試參數(shù)（Voc、Isc、Pm、Im、Vm、FF、EFF），每片測(cè)試的序列號(hào)自動(dòng)生成并保存到文件夾。　 太陽(yáng)能電池分選機(jī)技術(shù)參數(shù)： 　 型號(hào)規(guī)格：SCT-A/SCT-B　 輻照不均勻度：≤±2%（SCT-A） ≤±3%（SCT-B）　 輻照不穩(wěn)定度：≤±2%（SCT-A） ≤±3%（SCT-B）　 測(cè)試結(jié)果一致性：≤±0.5%（SCT-A） ≤±1%（SCT-B）　 電性能測(cè)試誤差：≤±1%（SCT-A） ≤±2%（SCT-B）　 光譜范圍：符合IEC60904-9要求（A級(jí)）　 輻照強(qiáng)度：100mW/ cm2（調(diào)節(jié)范圍70~120mW/cm2）　 單次閃光時(shí)間：10ms　 有效測(cè)試面積：200mm×200mm　 有效測(cè)試范圍：0．1W~5W　 測(cè)量電壓：1V（1mV）　 測(cè)量電流：10A（分辨率1mA）　 測(cè)試參數(shù)：Isc、Voc、Pmax、Vm、Im、FF、EFF、Temp　 數(shù)據(jù)采集：含8000個(gè)數(shù)據(jù)采集點(diǎn)　 SMT-A / SMT-B / SMT-F ：太陽(yáng)能組件測(cè)試儀 產(chǎn)品特點(diǎn)：　 該設(shè)備專(zhuān)門(mén)用于太陽(yáng)能單晶硅、多晶硅、非晶硅電池組件的電性能測(cè)試。　 通過(guò)模擬太陽(yáng)光譜光源，對(duì)電池組件的相關(guān)電參數(shù)進(jìn)行測(cè)量。　 的校正裝置，輸入補(bǔ)償參數(shù)，進(jìn)行自動(dòng)/手動(dòng)溫度補(bǔ)償和光強(qiáng)度補(bǔ)償，具備非接觸式自動(dòng)測(cè)溫與溫度修正功能。　 基于Windows的操作界面，測(cè)試軟件人性化設(shè)計(jì)，記錄并顯示測(cè)試曲線（I-V曲線、P曲線）和測(cè)試參數(shù)（Voc、Isc、Pmax、Im、Vm、FF、EFF、Temp），測(cè)試結(jié)果語(yǔ)音提示，序列號(hào)自動(dòng)生成，保存到文件夾。　 技術(shù)參數(shù)：　 型號(hào)規(guī)格：SMT-A SMT-B SMT-F　 輻照不均勻度：≤±2%（SMT-A） ≤±3%（SMT-B） ≤±2%（SMT-F）　 輻照不穩(wěn)定度：≤±2%（SMT-A） ≤±3%（SMT-B） ≤±2%（SMT-F）　 測(cè)試結(jié)果一致性：≤±0.5%（SMT-A） ≤±1%（SMT-B） ≤±0.5%（SMT-F）　 電性能測(cè)試誤差：≤±1%（SMT-A） ≤±2%（SMT-B） ≤±1%（SMT-F）　 單次閃光時(shí)間：10ms　 光譜范圍：符合IEC60904-9要求（A級(jí)）　 輻照強(qiáng)度：100mW/cm2(調(diào)節(jié)范圍70~120mW/cm2)　 有效測(cè)試面積：1200mm×2000mm　 有效測(cè)試范圍：10W~300W　 測(cè)量電壓：1V~10V(分辨率1mV)　 測(cè)量電流：100mA~20A(分辨率1mA)　 測(cè)試參數(shù)：Isc 、Voc 、Pmax 、Vm 、Im 、FF、 EFF 、Temp　 數(shù)據(jù)采集：含8000個(gè)數(shù)據(jù)采集點(diǎn)　 應(yīng)用領(lǐng)域：專(zhuān)門(mén)用于太陽(yáng)能單晶硅、多晶硅、非晶硅電池組件的電性能測(cè)試。　 聯(lián)系人：陶女士 電話：027-59722666-8013 手機(jī)：15671696583 QQ:156337602