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74FCT374ATQ 原裝 IDT 2013 1000 SSOP
74FCT374TS 原裝 PI 2013 1000 7.2mm
74FCT374TSO 原裝 IDT 2013 1000 7.2mm
74FCT377CTQ 原裝 IDT 2013 1000 SSOP
74FCT3807 原裝 IDT 2013 1000 SOP-20
74FCT3807APY 原裝 TDT 2013 1790 SOP-20
74FCT3807AQ 原裝 IDT 2013 1000 SSOP
74FCT3807EPYI 原裝 IDT 2013 5000 SSOP20 但是，半導體業的前進之路到了28nm之后，就發生了變化。當工藝制程進入22nm/20nm時，成本相比28nm不僅沒有下降，反而升高。原因是當工藝尺寸縮小到22nm/20nm時，傳統的193nm光刻，包括使用浸液式、OPC等技術已經無能為力，必須采用輔助的兩次圖形曝光技術（Doublepatterning，縮寫為DP）。從原理上講，DP技術易于理解，甚至可以曝光3次、4次。但是這必將帶來兩大問題：一個是光刻加掩模的成本迅速上升，另一個是工藝的循環周期延長。所以業界心知肚明，在下一代光刻技術EUV尚未成熟之前，采用DP技術是不得已而為之的。
所以全球半導體業界在向14nm制程邁進時，一方面采用DP技術，另一方面為了減少漏電流與功耗，采用新的FinFET結構（注：英特爾在22nm制程時首先采用FinFET工藝）。
