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74FCT3807PY 原裝 IDT 2013 1000 SSOP
74F139PC 原裝 NSC 2013 1200 DIP
74F14 原裝 2013 1200
74F148SJ 原裝 FAIRCHILD 2013 1200 SOP5.2
74F14D 原裝 NXP 2013 1000 SMD
74F14DR2 原裝 MOT 2013 1000 3.9mm
74FST3245Q 原裝 IDT 2013 1000 SSOP
74FST3245SO 原裝 IDT 2013 1041 7.2mm
至于未來(lái)向10nm挺進(jìn)時(shí)，業(yè)界一直有爭(zhēng)論，一種方案是采用FinFET結(jié)構(gòu)，但是工藝制程上采用DP技術(shù)已經(jīng)不行了，可能必須采用3次或者4次圖形曝光技術(shù)，另一種方案是等待EUV設(shè)備的降臨。盡管EUV光刻工藝，從理論上由于曝光波長(zhǎng)才13.4nm，在10nm時(shí)可以不必采用DP，從而節(jié)省成本（注：到了7nm時(shí)，即使是EUV也需要采用DP技術(shù)）。但是采用EUV相應(yīng)也會(huì)帶來(lái)產(chǎn)業(yè)鏈的轉(zhuǎn)變，同樣非同小可。
之前的困局是由于光源的功率不足等原因，導(dǎo)致EUV設(shè)備一再被推遲，讓業(yè)界幾乎喪失信心，都認(rèn)為在10nm時(shí)插入EUV光刻工藝毫無(wú)希望，可能要等到7nm。
所以業(yè)界把進(jìn)入10nm工藝制程看做是“站在十字路口”，盡管從技術(shù)層面上采用多次DP也能通過，然而從經(jīng)濟(jì)角度上講不一定誰(shuí)都能夠接受。
