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超聲清洗：對不同材料及孔徑的MCP應采用頻率、聲強可調的超聲波進行實驗,以確定實際工藝參數。對孔徑6~12μmMCP的清洗,當媒液為水和乙醇時,可采用空化閾約1/3W/cm2,聲強10~20W/cm2,頻率20~120kHz的超聲波進行清洗。半導體水基清洗劑主要用于清洗表面沾污有石蠟、油脂和油脂類高分子化合物以及表面沾污有金屬原子和金屬離子等。在半導體分立器件和中、小規模集成電路中能夠完全代替傳統半導體清洗工藝中使用的清洗液。氨水加氧化劑清洗液：在表面污物被氧化和刻蝕的同時也會發生MCP表面粗糙現象,造成MCP表面“發毛”和劃道或路子等傷害,造成產品質量下降,因此應控制合適的溫度和清洗時間,并及時用水漂洗干凈。
