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表面清洗正成為此類半導體加工中不斷出現的問題。這是因為襯底晶體的低劣質量（而不是其表面潔凈度）不再是限定與那些材料有關的制造良率的主導因素。隨著各種半導體材料襯底單晶質量的提高，考慮因素就會變化，會對清洗技術給予更加密切的關注。MEMS制造的特點是，它含有3D精細圖形的深刻蝕，并要求橫向深刻蝕埋層氧化物的釋放加工工藝。用常規的濕法刻蝕和清洗技術是不能完成從這種非常緊密的幾何圖形除去可能的刻蝕殘留物，并確保懸臂梁和膜片的無靜摩擦操作的。已經研究用無水HF/甲醇（AHF/MeOH））犧牲層氧化物刻蝕工藝作為后者的可行解決方法。半導體清洗機設備生產線用于PICOAT前清洗設備，描述了LCD生產線（以CSTN為主）上使用的PICOAT清洗設備的主要清洗藝流程及設備的主要組成部分，包括清洗、漂洗、氣刀、風干、IR、UV清洗干燥、CP降溫、冷卻干燥等。
