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濕法清洗：濕法清洗采用液體化學溶劑和DI水氧化、蝕刻和溶解晶片表面污染物、有機物及金屬離子污染。通常采用的濕法清洗有RCA清洗法、稀釋化學法、IMEC清洗法、單晶片清洗等。晶圓清洗是半導體制造典型工序中常應用的加工步驟。就硅來說，清洗操作的化學制品和工具已非常成熟，有多年廣泛深入的研究以及重要的工業設備的支持。所以，硅清洗技術在所有具實際重要性的半導體技術中是為成熟的。第*一個完整的、基于科學意義上的清洗程序在1970年就提出了，這是專門設計用于清除Si表面的微粒、金屬和有機污染物。在批次清洗工藝還是在單晶圓清洗工藝中，傳統的浸沒清洗仍起主導作用。在單晶圓清洗工藝時，這一趨勢由于太陽電池清洗技術的需求而強化。該技術中，由于被加工襯底的剪切數目(shearnumber)，可選用批次加工方法。可以使選擇氣相清洗化學過程與批次加工兼容。但同時，單晶圓清洗方法（如旋轉清洗）正推進到高端應用領域。
